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德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)（香港）有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第8年

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  • NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2024/6/17 17:06:13 對(duì)比
    NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    AT-400原子層沉積系統(tǒng)高縱橫比沉積，具有良好的共形性;曝光控制，用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)所需的共形性；預(yù)置有經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方；簡(jiǎn)單...

    型號(hào)： AT-410 所在地：國(guó)外參考價(jià)： ￥450000更新時(shí)間：2024/6/17 16:34:26 對(duì)比
    原子層沉積系統(tǒng)桌面型原子層沉積臺(tái)式原子層沉積AT-400原子層沉積
  • NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

    型號(hào)： NPD-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2019/1/11 10:17:33 對(duì)比
    PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)
  • NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:33:59 對(duì)比
    NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)
  • NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD

    NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:32:36 對(duì)比
    NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD
  • NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)

    NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:31:57 對(duì)比
    NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)
  • NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)

    NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:31:25 對(duì)比
    NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)
  • NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)

    NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:30:48 對(duì)比
    NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)
  • NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)

    NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:26:59 對(duì)比
    NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)
  • NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)

    NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 14:25:56 對(duì)比
    NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)
  • NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)：能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達(dá)12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 11:00:02 對(duì)比
    NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:59:00 對(duì)比
    NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-4000（M） PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（M） PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:58:33 對(duì)比
    NPE-4000（M） PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:58:08 對(duì)比
    NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:57:41 對(duì)比
    NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:57:13 對(duì)比
    NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6“ 基片...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:56:49 對(duì)比
    NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
  • NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到2個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:56:12 對(duì)比
    NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)
  • NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:55:44 對(duì)比
    NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)
  • NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：臺(tái)式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2017/3/3 10:55:15 對(duì)比
    NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)
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